siliconbits skriver "En enda" allmänna "i minne teknik som kombinerar hastigheten på DRAM med de icke-flyktiga och täthet av flashminne blev nyligen uppfanns vid North Carolina State University, enligt forskare. det nya minnet teknik, som använder en dubbel flyttal gate fält-effekt-transistor, bör gör att datorer kan stänga minnen för närvarande inte tillgängliga, drastiskt minska energiförbrukningen för datorer av alla slag, från mobila och stationära datorer till servern gårdar och datacenter, forskarna säger. "
Läs mer i denna historia på Slashdot.
Inga kommentarer:
Skicka en kommentar